Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 1.066GHz *объем* 1Gb (32M x 32)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 178-VFBGA
- Тип корпуса: 178-VFBGA (11x11.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 1Gb (32M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 178-VFBGA
- Тип корпуса: 178-VFBGA (11x11.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 1Gb (32M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: HSUL_12
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 178-VFBGA
- Тип корпуса: 178-VFBGA (11x11.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 1Gb (32M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: HSUL_12
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 178-VFBGA
- Тип корпуса: 178-VFBGA (11x11.5)
- Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 1Gb (32M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.066GHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: HSUL_12
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100