Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 133MHz *объем* 18Mb (1M x 18)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 4.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-TFBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 4.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-TFBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 4.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-TFBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 4.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: NoBL™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 4.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-TFBGA (13x15)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6.5ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100