Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 200MHz *объем* 128Mb (8M x 16)

Найдено: 53
  • IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 50ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 84TFBGA
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-TFBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 400ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 128MB DDR SDRAM X16, 200MHZ
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 2.3V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: LVTTL
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54FBGA
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-FBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 4.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 10ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-VFBGA
    • Тип корпуса: 60-VFBGA (8x9)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
    Insignis Technology Corporation
    • Производитель: Insignis Technology Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 4.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 10ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 128MB DDR SDRAM X16, 200MHZ, IND
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 2.3V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: LVTTL
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.5V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 50ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 50ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: