Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 133MHz *объем* 128Mb (32M x 4)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 128Mb (32M x 4)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 750ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (32M x 4)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (32M x 4)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (32M x 4)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 128Mb (32M x 4)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 750ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (32M x 4)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100