• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: FL-S
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 24-TBGA
• Тип корпуса: 24-BGA (8x6)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 8ns
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: SPI - Quad I/O

• Производитель: Winbond Electronics
• Серия: SpiFlash®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-WSON (8x6)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 104MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 50µs, 3ms
• Интерфейс: SPI - Quad I/O

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Серия: Omneo™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TC)
• Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Тип корпуса: 56-TSOP
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: PCM (PRAM)
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 115ns
• Формат памяти: PCM (PRAM)
• Время цикла записи - слово, страница: 115ns
• Интерфейс: Parallel, SPI

• Производитель: Winbond Electronics
• Серия: SpiFlash®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-WSON (6x5)
• Напряжение питания: 1.65V ~ 1.95V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 104MHz
• Время доступа: 6ns
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 60µs, 5ms
• Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: Automotive, AEC-Q100, FL-L
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Тип корпуса: 16-SOIC
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI

• Производитель: Winbond Electronics
• Серия: SpiFlash®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-WSON (8x6)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 104MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 50µs, 3ms
• Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-WSON (8x6)
• Напряжение питания: 2.3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 800µs
• Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI, DTR

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: FL-S
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 24-TBGA
• Тип корпуса: 24-BGA (6x8)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: SPI - Quad I/O

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 24-TBGA
• Тип корпуса: 24-TFBGA (6x8)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: SPI - Octal I/O

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: FL-S
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Тип корпуса: 16-SOIC
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: SPI - Quad I/O

• Производитель: Spansion
• Серия: Automotive, AEC-Q100, FL-S
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Тип корпуса: 16-SOIC
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: SPI - Quad I/O

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: Automotive, AEC-Q100, FL-L
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• Тип корпуса: 16-SOIC
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Формат памяти: FLASH
• Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: GL-P
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 64-LBGA
• Тип корпуса: 64-FBGA (13x11)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 100ns
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 100ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Winbond Electronics
• Серия: SpiFlash®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-WSON (6x5)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 104MHz
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 50µs, 3ms
• Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (16M x 8)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 14ns
• Интерфейс: Parallel