- Объем памяти
- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 84-LCC (J-Lead)
- Тип корпуса: 84-PLCC (29.31x29.31)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 84-LCC (J-Lead)
- Тип корпуса: 84-PLCC (29.31x29.31)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-TFBGA
- Тип корпуса: 100-CABGA (6x6)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 90ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 90ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 84-BPGA
- Тип корпуса: 84-PGA (27.94x27.94)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SARAM
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: RAM
- Время цикла записи - слово, страница: 20ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 84-FlatPack
- Тип корпуса: 84-FPACK
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 84-LCC (J-Lead)
- Тип корпуса: 84-PLCC (29.31x29.31)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 84-LCC (J-Lead)
- Тип корпуса: 84-PLCC (29.31x29.31)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 20ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 84-FlatPack
- Тип корпуса: 84-FPACK
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 35ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 35ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: MoBL®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-VFBGA
- Тип корпуса: 100-VFBGA (6x6)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, MoBL
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 84-LCC (J-Lead)
- Тип корпуса: 84-PLCC (29.31x29.31)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 45ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 45ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-VFBGA
- Тип корпуса: 100-VFBGA (6x6)
- Напряжение питания: 1.8V ~ 3.3V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, MoBL
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 65ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 65ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-VFBGA
- Тип корпуса: 100-VFBGA (6x6)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, MoBL
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 55ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 55ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Объем памяти: 128Kb (8K x 16)
- Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Тип памяти: Volatile
- Время доступа: 25ns
- Формат памяти: SRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 25ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100