Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти FCL 3.4MHz *объем* 128Kb (16K x 8)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: F-RAM™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
- Технология: FRAM (Ferroelectric RAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Время доступа: 130ns
- Формат памяти: FRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: F-RAM™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
- Технология: FRAM (Ferroelectric RAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Время доступа: 130ns
- Формат памяти: FRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: F-RAM™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
- Технология: FRAM (Ferroelectric RAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Время доступа: 130ns
- Формат памяти: FRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: F-RAM™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
- Технология: FRAM (Ferroelectric RAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Время доступа: 130ns
- Формат памяти: FRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: F-RAM™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
- Технология: FRAM (Ferroelectric RAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Время доступа: 130ns
- Формат памяти: FRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: F-RAM™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
- Технология: FRAM (Ferroelectric RAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Время доступа: 130ns
- Формат памяти: FRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: F-RAM™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
- Технология: FRAM (Ferroelectric RAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Время доступа: 130ns
- Формат памяти: FRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: F-RAM™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SOIC
- Напряжение питания: 2V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
- Технология: FRAM (Ferroelectric RAM)
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тактовая частота: 3.4MHz
- Время доступа: 130ns
- Формат памяти: FRAM
- Интерфейс: I²C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100