• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: VSON008X2030
• Напряжение питания: 1.7V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 20MHz
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 3.5ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
• Тип корпуса: 68-PLCC (24.21x24.21)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 25ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 25ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 8-PDIP
• Напряжение питания: 2.7V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 20MHz
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Fremont Micro Devices Ltd
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 8-DIP
• Напряжение питания: 1.8V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 1MHz
• Время доступа: 550ns
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: I²C

• Производитель: Parallax Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 8-DIP
• Напряжение питания: 1.7V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 400kHz
• Время доступа: 900ns
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: I²C

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип корпуса: 8-PDIP
• Напряжение питания: 1.8V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 20MHz
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Напряжение питания: 2.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 400kHz
• Время доступа: 900ns
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: I²C

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
• Тип корпуса: 68-PLCC (24.21x24.21)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 15ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Тип корпуса: 8-TSSOP
• Напряжение питания: 2.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 10MHz
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 64-LQFP
• Тип корпуса: 64-TQFP (14x14)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 55ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 55ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
• Тип корпуса: 68-PLCC (24.21x24.21)
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 55ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 55ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
• Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
• Тип корпуса: 8-MSOP
• Напряжение питания: 2.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 400kHz
• Время доступа: 900ns
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: I²C

• Производитель: Renesas Electronics America Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 68-LCC (J-Lead)
• Тип корпуса: 68-PLCC (24.21x24.21)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 15ns
• Формат памяти: SRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Напряжение питания: 1.8V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 10MHz
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: SPI

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
• Тип корпуса: 8-MSOP
• Напряжение питания: 1.6V ~ 5.5V
• Объем памяти: 128Kb (16K x 8)
• Технология: EEPROM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 20MHz
• Формат памяти: EEPROM
• Время цикла записи - слово, страница: 5ms
• Интерфейс: SPI