• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: WS-P
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 84-TFBGA
• Тип корпуса: 84-FBGA (8x11.6)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 256Mb Flash, 64Mb RAM
• Технология: FLASH, PSRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 80MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 137-VFBGA
• Тип корпуса: 137-VFBGA (13x10.5)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 168-WFBGA
• Тип корпуса: 168-WFBGA (12x12)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 24-VBGA
• Тип корпуса: 24-FBGA (6x8)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb Flash, 64Mb RAM
• Технология: FLASH, DRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 100MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Winbond Electronics
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 2Gb (NAND), 1Gb (LPDDR2)
• Технология: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 400MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM

• Производитель: Winbond Electronics
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 1Gb (NAND), 512Mb (LPDDR2)
• Технология: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 400MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q100
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 162-VFBGA
• Тип корпуса: 162-VFBGA (10.5x8)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 533MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
• Напряжение питания: 1.8V
• Объем памяти: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
• Технология: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 533MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 168-VFBGA
• Тип корпуса: 168-VFBGA (12x12)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 208MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 168-VFBGA
• Тип корпуса: 168-VFBGA (12x12)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
• Package / Case: 221-WFBGA
• Тип корпуса: 221-WFBGA (13x11.5)
• Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 64Gb (8G x 8)(NAND), 8Gb (256M x 32)(LPDDR3)
• Технология: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR3
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 933MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: MMC, LPDRAM

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 168-VFBGA
• Тип корпуса: 168-VFBGA (12x12)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 130-VFBGA
• Тип корпуса: 130-VFBGA (8x9)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
• Технология: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
• Package / Case: 149-WFBGA
• Тип корпуса: 149-WFBGA (8x9.5)
• Напряжение питания: 1.8V
• Объем памяти: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)
• Технология: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 1866MHz
• Формат памяти: FLASH, RAM
• Интерфейс: Parallel