Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти DRAM FCL 400MHz

Найдено: 711
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x10)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 400ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 400ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 168-WFBGA
    • Тип корпуса: 168-WFBGA (12x12)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 168-VFBGA
    • Тип корпуса: 168-VFBGA (12x12)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: HSUL_12
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 400ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 144-TFBGA
    • Тип корпуса: 144-µBGA (18.5x11)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 576Mb (64M x 9)
    • Технология: DRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 15ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 168-VFBGA
    • Тип корпуса: 168-VFBGA (12x12)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: HSUL_12
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1GB LPDDR2, X32, 400MHZ, -25 ~ 8
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 134-VFBGA
    • Тип корпуса: 134-VFBGA (10x11.5)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 1Gb (32M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: HSUL_12
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-FBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 400ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-TWBGA (8x10.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 400ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 400ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x10)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 2Gb (256M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 57.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-WBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 400ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168VFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 168-VFBGA
    • Тип корпуса: 168-VFBGA (12x12)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-FBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Время доступа: 400ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: