Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти DRAM FCL 333MHz

Найдено: 244
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x10)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (256M x 4)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-FBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 63-TFBGA
    • Тип корпуса: 63-FBGA (9x11.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 60-FBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x11.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x10)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 92-TFBGA
    • Тип корпуса: 92-FBGA (11x19)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-FBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-TWBGA (8x10.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC MEMORY DDR 84BGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-TWBGA (10.5x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512M (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 84-TFBGA
    • Тип корпуса: 84-WBGA (11x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 8GBIT PARALLEL 240FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 240-VFBGA
    • Тип корпуса: 240-FBGA (14x14)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V
    • Объем памяти: 8Gb (128M x 64)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 92-TFBGA
    • Тип корпуса: 92-FBGA (11x19)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 1Gb (256M x 4)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-TWBGA (8x10.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 333MHz
    • Время доступа: 450ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: