Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти DRAM FCL 267MHz
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 92-TFBGA
- Тип корпуса: 92-FBGA (11x19)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 400ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 92-TFBGA
- Тип корпуса: 92-FBGA (11x19)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 400ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 60-FBGA
- Тип корпуса: 60-FBGA
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 84-FBGA
- Тип корпуса: 84-FBGA (8x14)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 92-TFBGA
- Тип корпуса: 92-FBGA (11x19)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 400ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-FBGA (12x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 92-TFBGA
- Тип корпуса: 92-FBGA (11x19)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 400ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-FBGA (12x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 60-FBGA
- Тип корпуса: 60-FBGA
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 84-FBGA
- Тип корпуса: 84-FBGA (8x14)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 92-TFBGA
- Тип корпуса: 92-FBGA (11x19)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (128M x 4)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-FBGA (12x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 60-FBGA
- Тип корпуса: 60-FBGA
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 60-FBGA
- Тип корпуса: 60-FBGA
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-FBGA (12x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 267MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100