Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти DRAM FCL 266MHz
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 266MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 266MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 266MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 266MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 266MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 266MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 266MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-TWBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 266MHz
- Время доступа: 500ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100