Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти DRAM FCL 250MHz

    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Package / Case
    • Время доступа
    • Интерфейс
    • Время цикла записи - слово, страница
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 20
  • W959D8NFYA4II TR
    512MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND T
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 24-TBGA
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: HyperRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 28 ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 35ns
    • Интерфейс: HyperBus
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W9425G6EH-5
    IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 55ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EM6A9160TSC-4G
    IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 12ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS43R32400E-4BL-TR
    IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 144-LFBGA
    • Тип корпуса: 144-LFBGA (12x12)
    • Напряжение питания: 2.4V ~ 2.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 16ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EM6AA160BKE-4H
    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W9412G6KH-4 TR
    IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.4V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 48ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 12ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EM6AA160TSE-4G
    IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS43R32400E-4B
    IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 144-LFBGA
    • Тип корпуса: 144-LFBGA (12x12)
    • Напряжение питания: 2.4V ~ 2.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 16ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS43R32400E-4BL
    IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 144-LFBGA
    • Тип корпуса: 144-LFBGA (12x12)
    • Напряжение питания: 2.4V ~ 2.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 16ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EM6AA160BKE-4IH
    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W959D8NFYA4I
    512MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND T
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 24-TBGA
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: HyperRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 28 ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 35ns
    • Интерфейс: HyperBus
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EM6AA160TSE-4IG
    IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W9412G6JH-4
    IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.4V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 48ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 12ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W9425G6KH-4
    IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.4V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 52ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • W9464G6JH-4
    IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.4V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 250MHz
    • Время доступа: 55ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100