Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти SRAM FCL 233MHz
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 576-BBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 576-FCBGA (25x25)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 233MHz
- Время доступа: 7.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 576-BBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 576-FCBGA (25x25)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 233MHz
- Время доступа: 7.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 576-BBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 576-FCBGA (25x25)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 233MHz
- Время доступа: 7.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 576-BBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 576-FCBGA (25x25)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 233MHz
- Время доступа: 7.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 576-BBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 576-FCBGA (25x25)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 233MHz
- Время доступа: 7.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 576-BBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 576-FCBGA (25x25)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 233MHz
- Время доступа: 7.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 576-BBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 576-FCBGA (25x25)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 18Mb (1M x 18)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 233MHz
- Время доступа: 7.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 576-BBGA, FCBGA
- Тип корпуса: 576-FCBGA (25x25)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 233MHz
- Время доступа: 7.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100