Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти DRAM FCL 208MHz
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 168-TFBGA
- Тип корпуса: 168-TFBGA (12x12)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 8Gb (256M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 168-WFBGA
- Тип корпуса: 168-WFBGA (12x12)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (9x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-VFBGA
- Тип корпуса: 60-VFBGA (8x9)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 1Gb (32M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 168-VFBGA
- Тип корпуса: 168-TFBGA (12x12)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 8Gb (256M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-VFBGA
- Тип корпуса: 60-VFBGA (8x9)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 168-WFBGA
- Тип корпуса: 168-WFBGA (12x12)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (9x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 1Gb (32M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-VFBGA
- Тип корпуса: 60-VFBGA (8x9)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-VFBGA
- Тип корпуса: 60-VFBGA (8x9)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 208MHz
- Время доступа: 5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14.4ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100