Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти SRAM FCL 200MHz
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-LQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3.1ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: NoBL™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
- Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
- Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 119-BGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-PBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (256K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3.1ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 256-LBGA
- Тип корпуса: 256-CABGA (17x17)
- Напряжение питания: 3.15V ~ 3.45V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Dual Port, Synchronous
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3.4ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BBGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3.1ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 119-BBGA
- Тип корпуса: 119-PBGA (14x22)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3.1ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: NoBL™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 18Mb (512K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-TBGA
- Тип корпуса: 165-TFBGA (13x15)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
- Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3.1ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: NoBL™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 100-LQFP
- Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 36Mb (1M x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3.2ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: NoBL™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (15x17)
- Напряжение питания: 3.135V ~ 3.6V
- Объем памяти: 72Mb (2M x 36)
- Технология: SRAM - Synchronous, SDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 3ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 165-LBGA
- Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 72Mb (8M x 9)
- Технология: SRAM - Synchronous, QDR II+
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100