Найдено: 1951
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 12ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 2.375V ~ 2.625V
    • Объем памяти: 9Mb (512K x 18)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60VFBGA
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-VFBGA (6.4x10.1)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CACHE SRAM, 128KX36, 3.5NS
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
    IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x14)
    • Напряжение питания: 3.135V ~ 3.465V
    • Объем памяти: 9Mb (256K x 36)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 90-VFBGA
    • Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x10)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CACHE SRAM, 128KX36, 3.5NS
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 100-LQFP
    • Тип корпуса: 100-TQFP (14x20)
    • Напряжение питания: 3.15V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 4.5Mb (128K x 36)
    • Технология: SRAM - Synchronous, SDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 3.5ns
    • Формат памяти: SRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 2ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 512MB SERIAL NAND FLASH, 3V
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Серия: SpiFlash®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 24-TBGA
    • Тип корпуса: 24-TFBGA (6x8)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: FLASH - NAND (SLC)
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 7ns
    • Формат памяти: FLASH
    • Время цикла записи - слово, страница: 700µs
    • Интерфейс: SPI - Quad I/O
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA
    Cypress Semiconductor Corp
    • Производитель: Cypress Semiconductor Corp
    • Серия: HL-T
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 24-TBGA
    • Тип корпуса: 24-BGA (8x6)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: FLASH - NOR
    • Тип памяти: Non-Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Формат памяти: FLASH
    • Интерфейс: SPI - Quad I/O
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-LFBGA
    • Тип корпуса: 90-WBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: