Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти DRAM FCL 133MHz

    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Package / Case
    • Время доступа
    • Интерфейс
    • Время цикла записи - слово, страница
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 640
  • IS42SM16200C-75BLI-TR
    IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 32Mb (2M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT46V64M8BN-75:D
    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (10x12.5)
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 750ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS42SM32200K-75BLI
    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (2M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT46V64M8P-75:D TR
    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 750ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS42S32160A-75BI
    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90LFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-LFBGA
    • Тип корпуса: 90-LFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AS4C32M16SM-7TCNTR
    IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS42VM32400H-75BLI-TR
    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR
    IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 54-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 14ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS42SM32200M-75BLI-TR
    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (2M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS42VM16400M-75BLI-TR
    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS42VM32800E-75BLI
    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT46V64M8P-75:D
    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 750ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT48LC16M16A2BG-7E:D TR
    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 54-VFBGA
    • Тип корпуса: 54-VFBGA (8x14)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 14ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT46V64M4FG-75E:G
    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-FBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x14)
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 256Mb (64M x 4)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 750ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IS42S32160C-75BL
    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 90-LFBGA
    • Тип корпуса: 90-WBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 6ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100