- Тактовая частота
- Формат памяти
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 6ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -20°C ~ 75°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-VFBGA
- Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100