Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти DRAM FCL 1.333GHz

    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Package / Case
    • Время доступа
    • Интерфейс
    • Время цикла записи - слово, страница
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 13
  • MT40A4G4HPR-075H:G
    MEMORY DRAM
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Серия: TwinDie™
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 16Gb (4G x 4)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EM6OE08NW9A-07H
    4GB (512MX8) DDR4. 78-BALL WINDO
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 78-TFBGA
    • Тип корпуса: 78-FBGA (7.5x10.6)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: POD
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AS4C256M16D4-75BIN
    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT40A256M16GE-075E:B TR
    IC SDRAM DDR4 4G PAR 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (9x14)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 19ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EM6OE08NW9A-07IH
    4GB (512MX8) DDR4. 78-BALL WINDO
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 78-TFBGA
    • Тип корпуса: 78-FBGA (7.5x10.6)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: POD
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AS4C512M8D4-75BCN
    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 78-TFBGA
    • Тип корпуса: 78-FBGA (7.5x10.6)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AS4C512M8D4-75BIN
    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 78-TFBGA
    • Тип корпуса: 78-FBGA (7.5x10.6)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AS4C512M16D4-75BCN
    IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 8Gb (512M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EM6OE16NWAKA-07H
    4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: POD
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EM6OE16NWAKA-07IH
    4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: POD
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AS4C256M16D4-75BCN
    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AS4C1G8D4-75BCN
    IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 78-TFBGA
    • Тип корпуса: 78-FBGA (7.5x12)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 8Gb (1G x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Время доступа: 18ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT40A4G4HPR-075H:G TR
    MEMORY DRAM
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Серия: TwinDie™
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 16Gb (4G x 4)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.333GHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100