• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 85879
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Конфигурация
Рабочая температура
Ток утечки
Прямое напряжение
Серия
CZRSC55C2V2-G DIODE ZENER 2.2V 500MW 0805 Comchip Technology 0805 (2012 Metric) 2.2V 85 Ohms 500mW Surface Mount ±5% 0805 75µA @ 5.2V 1.5V @ 200mA
1PMT4105E3/TR13 DIODE ZENER 11V 1W DO216 Microchip Technology DO-216AA 11V 200 Ohms 1W Surface Mount ±5% DO-216 -55°C ~ 150°C 50nA @ 8.44V 1.1V @ 200mA POWERMITE®
JAN1N4463D DIODE ZENER 8.2V 1.5W DO41 Microchip Technology DO-204AL, DO-41, Axial 8.2V 3 Ohms 1.5W Through Hole ±1% DO-41 -65°C ~ 175°C 500nA @ 4.92V 1V @ 200mA Military, MIL-PRF-19500/406
JAN1N965D-1 DIODE ZENER 15V 500MW DO35 Microchip Technology DO-204AH, DO-35, Axial 15V 16 Ohms 500mW Through Hole ±1% DO-35 (DO-204AH) -65°C ~ 175°C 500nA @ 11V 1.1V @ 200mA Military, MIL-PRF-19500/117
1N5945BG DIODE ZENER 68V 1.25W DO204AL Microsemi Corporation DO-204AL, DO-41, Axial 68V 120 Ohms 1.25W Through Hole ±5% DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C 1µA @ 51.2V 1.2V @ 200mA
JANTX1N4495CUS DIODE ZENER 180V 1.5W D5A Microsemi Corporation SQ-MELF, A 180V 1.3 kOhms 1.5W Surface Mount ±2% D-5A -65°C ~ 175°C 250nA @ 144V 1V @ 200mA Military, MIL-PRF-19500/406
1N6010B DIODE ZENER 27V 500MW DO35 onsemi DO-204AH, DO-35, Axial 27V 70 Ohms 500mW Through Hole ±5% DO-35 -65°C ~ 200°C 100nA @ 21V 1.2V @ 200mA
MMBZ5243BTW_R1_00001 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD Panjit International Inc. 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 13V 13 Ohms 200mW Surface Mount ±5% SOT-363 3 Independent -55°C ~ 150°C (TJ) MMBZ5221BTW~MMBZ5262BTW
HZU4.7B3TRF-E DIODE ZENER Renesas Electronics America Inc
PDZ4.7B/ZL115 ZENER DIODE Rochester Electronics, LLC
BZD27C22P DIODE ZENER 22.05V 1W SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 22.05V 15 Ohms 1W Surface Mount ±5.66% Sub SMA -55°C ~ 175°C (TJ) 1µA @ 16V 1.2V @ 200mA
BZD27C39P RVG DIODE ZENER 39V 1W SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB 39V 40 Ohms 1W Surface Mount ±5% Sub SMA -55°C ~ 175°C (TJ) 1µA @ 30V 1.2V @ 200mA
BZT52C39S RRG DIODE ZENER 39V 200MW SOD323F Taiwan Semiconductor Corporation SC-90, SOD-323F 39V 130 Ohms 200mW Surface Mount ±5% SOD-323F -65°C ~ 150°C (TJ) 45nA @ 27.3V 1V @ 10mA
TZX6V2B-TR DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AH, DO-35, Axial 6.2V 15 Ohms 500mW Through Hole DO-35 (DO-204AH) -65°C ~ 175°C 1µA @ 3V 1.5V @ 200mA Automotive, AEC-Q101, TZX
GLL4752A-E3/97 DIODE ZENER 33V 1W MELF Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-213AB, MELF 33V 45 Ohms 1W Surface Mount ±5% MELF DO-213AB -65°C ~ 150°C 5µA @ 25.1V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Стабилитрон, или диод Зенера, это электронный компонент, предназначенный для стабилизации напряжения на участке цепи, соединенной с его выводами. Эффект стабилизации основан на том факте, что при обратном лавинном пробое диода напряжение на нем почти не зависит от протекаемого тока. Максимальный ток, который может выдежать стабитрон, определяется его мощностью рассеивания. Можно сказать, что для стабилитрона режим обратного лавинного пробоя является его рабочим режимом.


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.