-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 9.1V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 12V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 9 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 62.2V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 82V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 51.7V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 68V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 150 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 50µA @ 3V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 6.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 2 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 10µA @ 5V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 7.5V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 4 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 10µA @ 7V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 9.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 5 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 35.8V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 47V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 15.2V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 20V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 22 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 69.2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 91V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 250 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 8.4V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 11V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 35.8V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 47V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 20.6V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 27V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 35 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 12.2V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 16V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 16 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 5µA @ 22.8V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 30V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: MELF DO-213AB
- Ток утечки: 10µA @ 7.6V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 1W
- Напряжение стабилизации: 10V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 7 Ohms
- 10
- 15
- 50
- 100