• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 2µA @ 3.5V
• Допуск: ±2.56%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 6.84V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 3V
• Допуск: ±2.55%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 6.28V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±3.29%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 3.72V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 200nA @ 21V
• Допуск: ±3%
• Мощность - Макс.: 500mW
• Напряжение стабилизации: 27V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 45 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1.5V
• Допуск: ±2.56%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 5.07V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 20 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 200nA @ 13V
• Допуск: ±3%
• Мощность - Макс.: 500mW
• Напряжение стабилизации: 17.88V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 23 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 500nA @ 4V
• Допуск: ±2.63%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 7.04V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±3.35%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 4.03V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 50 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 10µA @ 1V
• Допуск: ±3.07%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 3.43V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 70 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 2.5V
• Допуск: ±2.49%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 5.42V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 13 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 200nA @ 8V
• Допуск: ±3%
• Мощность - Макс.: 500mW
• Напряжение стабилизации: 11V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 3V
• Допуск: ±2.55%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 6.28V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 2µA @ 3.5V
• Допуск: ±2.63%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 6.46V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±3.02%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 4.3V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±2.6%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 4.81V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 25 Ohms