-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 150V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 200V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 500 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 22V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 30V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 5µA @ 2V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 6.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 3 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 56V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 75V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 120V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 160V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 350 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 3µA @ 9.1V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 12V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 7 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 100µA @ 1V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 3.6V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 13V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 18V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 100V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 130V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 300 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 16V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 22V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 15V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 20V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 25µA @ 1V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 4.3V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 7 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 62V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 82V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 47V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 62V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 27V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 36V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
- 10
- 15
- 50
- 100