-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 5µA @ 2.5V
- Допуск: ±2.6%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 5.76V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 13 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 120µA @ 700mV
- Допуск: ±4.07%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 2.21V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 120 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 5µA @ 1V
- Допуск: ±3.04%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 4.44V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 2µA @ 3.5V
- Допуск: ±2.55%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 6.66V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 120µA @ 700mV
- Допуск: ±4.1%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 2.32V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 120 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 120µA @ 1V
- Допуск: ±3.92%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 2.43V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 10µA @ 1V
- Допуск: ±3.07%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 3.43V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 70 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 500nA @ 4V
- Допуск: ±2.62%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 7.26V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 500nA @ 6V
- Допуск: ±2.5%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 8.79V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
- 10
- 15
- 50
- 100