-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 5µA @ 1V
- Допуск: ±3.36%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 3.58V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 100µA @ 1V
- Допуск: ±3.97%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 2.65V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 2µA @ 3.5V
- Допуск: ±2.63%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 6.46V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 500nA @ 6V
- Допуск: ±2.59%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 9.07V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 5µA @ 1V
- Допуск: ±2.6%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 4.81V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 25 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 120µA @ 700mV
- Допуск: ±4.07%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 2.21V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 120 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 5µA @ 1V
- Допуск: ±2.63%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 4.56V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 25 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 500nA @ 4V
- Допуск: ±2.54%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 7.48V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 100µA @ 1V
- Допуск: ±3.97%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 2.65V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 500nA @ 5V
- Допуск: ±2.57%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 7.99V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 2µA @ 3.5V
- Допуск: ±2.55%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 6.66V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 100µA @ 1V
- Допуск: ±3.93%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 2.8V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 5µA @ 3V
- Допуск: ±2.61%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 5.94V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 5µA @ 1V
- Допуск: ±3.36%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 3.58V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-219AC
- Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 5µA @ 1V
- Допуск: ±3.36%
- Мощность - Макс.: 960mW
- Напряжение стабилизации: 3.58V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms
- 10
- 15
- 50
- 100