• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±2.67%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 4.68V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 25 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 500nA @ 4V
• Допуск: ±2.54%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 7.48V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 500nA @ 5V
• Допуск: ±2.52%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 7.73V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 20µA @ 1V
• Допуск: ±3.37%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 3.12V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 500nA @ 5V
• Допуск: ±2.55%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 8.24V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±3.04%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 4.44V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±2.63%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 4.56V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 25 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 500nA @ 6V
• Допуск: ±2.59%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 8.51V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 10µA @ 1V
• Допуск: ±3.07%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 3.43V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 70 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 100µA @ 1V
• Допуск: ±3.93%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 2.8V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 120µA @ 1V
• Допуск: ±3.92%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 2.43V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 120µA @ 1V
• Допуск: ±3.95%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 2.53V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 120µA @ 500mV
• Допуск: ±5.53%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 1.99V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 140 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±4.59%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 3.92V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 50 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 3V
• Допуск: ±2.53%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 6.12V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms