• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 120µA @ 500mV
• Допуск: ±5.53%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 1.99V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 140 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1.5V
• Допуск: ±2.63%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 4.94V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 20 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 3V
• Допуск: ±2.61%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 5.94V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 120µA @ 1V
• Допуск: ±3.92%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 2.43V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 100 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 120µA @ 500mV
• Допуск: ±4.27%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 2.11V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 140 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1.5V
• Допуск: ±2.68%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 5.23V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 20 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 500nA @ 4V
• Допуск: ±2.62%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 7.26V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 1V
• Допуск: ±3.29%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 3.72V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 120µA @ 700mV
• Допуск: ±4.1%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 2.32V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 120 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 20µA @ 1V
• Допуск: ±3.72%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 2.96V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 500nA @ 4V
• Допуск: ±2.63%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 7.04V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 2µA @ 3.5V
• Допуск: ±2.56%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 6.84V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 10µA @ 1V
• Допуск: ±3.36%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 3.27V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 70 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 3V
• Допуск: ±2.53%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 6.12V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 10 Ohms

• Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• Серия: Automotive, AEC-Q101, PLZ
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: DO-219AC
• Тип корпуса: DO-219AC (microSMF)
• Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
• Ток утечки: 5µA @ 2.5V
• Допуск: ±2.6%
• Мощность - Макс.: 960mW
• Напряжение стабилизации: 5.76V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 13 Ohms