-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 1V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 4.7V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 7 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27B-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 5µA @ 2V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 6.2V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 3 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 47V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 62V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 80 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 130V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 180V
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 5V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 9.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 4 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 24V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 33V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 20V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 27V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 15 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 50µA @ 3V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 7.5V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 2 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 3V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 6.8V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 3 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 5µA @ 1V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 5.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 6 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 1V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 4.7V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 7 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: BZD27-M
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 5V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 9.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 4 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27B
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 50µA @ 1V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 3.9V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 8 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BZD27C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 1µA @ 75V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 100V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 200 Ohms
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-219AB
- Тип корпуса: DO-219AB (SMF)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 2µA @ 10V
- Мощность - Макс.: 800mW
- Напряжение стабилизации: 13V
- 10
- 15
- 50
- 100