Полупроводники, Диоды, Стабилитроны Toshiba Semiconductor and Storage S-FLAT (1.6x3.5)

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 29

CRZ30(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 21V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 30V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ11(TE85L,Q)

DIODE ZENER 11V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 7V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 11V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ18(TE85L,Q)

DIODE ZENER 18V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 13V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 18V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ47(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 47V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 37.6V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 47V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 65 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ10(TE85L,Q)

DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 6V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 10V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ33(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 33V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 26.4V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 33V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ13(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 13V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 9V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 13V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ43(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 43V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 34.4V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 43V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 40 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ16(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 16V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 11V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 16V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ15(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 10V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 15V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRY91(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 9.1V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 5.5V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 9.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ22(TE85L,Q)

DIODE ZENER 22V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 16V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 22V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ18(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 18V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 13V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 18V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ12(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 12V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 8V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 12V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CRZ22(TE85L,Q,M)

DIODE ZENER 22V 700MW SFLAT

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 16V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 22V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: