• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 17V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 24V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 21V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 30V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 6V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 10V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 7V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 11V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 37.6V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 47V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 65 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 28.8V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 36V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 3V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 6.8V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 4.5V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 7.5V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 4.9V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 8.2V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 3V
• Допуск: ±9.68%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 6.2V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 19V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 27V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 31.2V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 39V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 35 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 14V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 20V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
• Package / Case: SOD-123F
• Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
• Прямое напряжение: 1V @ 200mA
• Ток утечки: 10µA @ 8V
• Допуск: ±10%
• Мощность - Макс.: 700mW
• Напряжение стабилизации: 12V
• Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms