- Производитель
- Напряжение стабилизации
- Мощность - Макс.
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Рабочая температура
- Ток утечки
- Прямое напряжение
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 10V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 15V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 5.5V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 9.1V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 16V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 22V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 13V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 18V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 8V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 12V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-128
- Тип корпуса: M-FLAT (2.4x3.8)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 10V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 2W
- Напряжение стабилизации: 15V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 16V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 22V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 17V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 24V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 21V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 30V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 6V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 10V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 7V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 11V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 37.6V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 47V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 65 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 28.8V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 36V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 3V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 6.8V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 60 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Package / Case: SOD-123F
- Тип корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
- Прямое напряжение: 1V @ 200mA
- Ток утечки: 10µA @ 4.5V
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 700mW
- Напряжение стабилизации: 7.5V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 30 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100