- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: ODS-186
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 8.7
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Тип диода: 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 32V
- Коэфициент емкости: 2.8
- Параметры коэфициента емкости: C3/C30
- Добротность @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz
-
- Производитель: Sprague-Goodman
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 6.8pF @ 4V, 50MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4
- Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: MPV
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: 0402 (1005 Metric)
- Тип корпуса: 0402
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.8pF @ 1V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Коэфициент емкости: 3.6
- Параметры коэфициента емкости: C1/C6
- Добротность @ Vr, F: 1500 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.8pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4.5
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 5000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOD-882
- Тип корпуса: PG-TSLP-2-1
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.45pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 7V
- Коэфициент емкости: 2.1
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: 2-SMD
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 20V
- Коэфициент емкости: 7.5
- Параметры коэфициента емкости: C0/C20
- Добротность @ Vr, F: 2200 @ 4V, 1MHz
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: USC
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.35pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 2.3
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
- 10
- 15
- 50
- 100