• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Chip
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 3.2pF @ 8V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 12V
• Добротность @ Vr, F: 600 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Renesas Electronics America Inc

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 125°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
• Тип корпуса: TO-92
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 6.5
• Параметры коэфициента емкости: C3/C25
• Добротность @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-79, SOD-523
• Тип корпуса: PG-SC79-2
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 23.2
• Параметры коэфициента емкости: C1/C28

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
• Package / Case: SC-76, SOD-323
• Тип корпуса: SOD-323
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.754pF @ 28V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 32V
• Коэфициент емкости: 15
• Параметры коэфициента емкости: C1/C28

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-79, SOD-523
• Тип корпуса: PG-SC79-2
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 16V
• Коэфициент емкости: 3
• Параметры коэфициента емкости: C2/C10

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-79, SOD-523
• Тип корпуса: PG-SC79-2
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 15.3
• Параметры коэфициента емкости: C1/C28

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
• Package / Case: 2-SMD, No Lead
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 4.7pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.9
• Параметры коэфициента емкости: C0/C30
• Добротность @ Vr, F: 2600 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Skyworks Solutions Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
• Package / Case: SC-79, SOD-523
• Тип корпуса: SC-79
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 1.05pF @ 28V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 16
• Параметры коэфициента емкости: C0.5/C28

• Производитель: Rochester Electronics, LLC

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-76, SOD-323
• Тип корпуса: SOD-323
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.2
• Параметры коэфициента емкости: C2/C30
• Добротность @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: SOT-323
• Тип диода: 1 Pair Common Cathode
• Емкость @ Vr, F: 13.5pF @ 4.5V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 12V
• Коэфициент емкости: 5.41
• Параметры коэфициента емкости: C1/C4.5

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-80
• Тип корпуса: SCD-80
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 28V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 11
• Параметры коэфициента емкости: C1/C28

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-79, SOD-523
• Тип корпуса: SOD-523
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 1.055pF @ 28V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 16
• Параметры коэфициента емкости: C0.5/C28

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
• Тип диода: Single
• Емкость @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz
• Обратное пиковое напряжение: 30V
• Коэфициент емкости: 3.2
• Параметры коэфициента емкости: C2/C30
• Добротность @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz