• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1381
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Добротность @ Vr, F
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
Серия
ZDC833ATA DIODE VAR CAP DUAL 33PF SOT23-3 Diodes Incorporated TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 25V 200 @ 3V, 50MHz 1 Pair Common Cathode Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 150°C (TJ) 36.3pF @ 2V, 1MHz 6.5 C2/C20
BBY 57-02L E6327 DIODE TUNING 10V 20MA TSLP-2 Infineon Technologies SOD-882 10V Single Surface Mount PG-TSLP-2-1 -55°C ~ 125°C (TJ) 5.5pF @ 4V, 1MHz 4.5 C1/C4
MAVR-000082-0287AT VARACTOR, PLASTIC, LEAD-FREE, SO MACOM Technology Solutions TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 12V 350 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount SOT-23 -65°C ~ 125°C 1.8pF @ 8V, 1MHz 8.2 C1/C8
MV30011-P00 GAAS TVAR NON HERMETIC CHIP Microchip Technology Die 22V 4000 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 175°C 0.6pF @ 4V, 1MHz 3.9 C2/C20
MV20010-190 GAAS TVAR NON HERMETIC MICROSTRI Microchip Technology Die 15V 4000 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 175°C 2.2pF @ 4V, 1MHz 3.4 C0/C15
SVC321SPA-A-3 AM VARICAP SINGLE VR 8V onsemi
MA2S37700L DIODE VARICAP 12V 20MA SS-MINI Panasonic Electronic Components SC-80 12V Single Surface Mount SSMini2-F2 150°C (TJ) 1.5pF @ 10V, 1MHz 2.8 C2/C10
HVC355B6TRF-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
HVC372BTRF-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
HVC306C1TRU-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
BBY5806WE6327 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-70, SOT-323 10V 1 Pair Common Anode Surface Mount PG-SOT323-3 -55°C ~ 150°C (TJ) 5.5pF @ 6V, 1MHz 3.5 C1/C4
BBY5803WE6327HTSA1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-76, SOD-323 10V Single Surface Mount PG-SOD323-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 5.5pF @ 6V, 1MHz 3.5 C1/C4
BBY5502WH6327XTSA1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-80 16V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 6.5pF @ 10V, 1MHz 3 C2/C10
MMBV3401LT3 PIN DIODE, 35V V(BR) Rochester Electronics, LLC
SMV1233-079LF DIODE VARACTOR 15V 20MA SC79 Skyworks Solutions Inc. SC-79, SOD-523 15V Single Surface Mount SC-79 -55°C ~ 125°C (TJ) 1.1pF @ 6V, 50MHz 3.3 C1/C6
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.


Справочная информация по основным параметрам:

Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.