- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 9.02pF @ 2V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 25V
- Коэфициент емкости: 5.8
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 8V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Добротность @ Vr, F: 1800 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Коэфициент емкости: 4.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C12
- Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 10V
- Коэфициент емкости: 3.5
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 11.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4.5
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 1300 @ 4V, 1MHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-882
- Тип корпуса: SOD2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.89pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 32V
- Коэфициент емкости: 22
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Добротность @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: SSSMini2-F1
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.58pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 6V
- Коэфициент емкости: 2.6
- Параметры коэфициента емкости: C1/C4
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 27 V
- Добротность @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: 2-UFP
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.76pF @ 25V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 9
- Параметры коэфициента емкости: C1/C25
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2.3pF @ 28V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 9.8
- Параметры коэфициента емкости: C1/C28
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Тип диода: 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 32V
- Коэфициент емкости: 2.8
- Параметры коэфициента емкости: C3/C30
- Добротность @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz
- 10
- 15
- 50
- 100