• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1381
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Добротность @ Vr, F
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
Серия
BB 659C-02V E7912 DIODE VARIABLE 30V 20MA SC-79 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.75pF @ 28V, 1MHz 15.3 C1/C28
BBY5502VH6327XTSA1 DIODE VARACTOR 16V SGL SC79-2 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 16V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 6.5pF @ 10V, 1MHz 3 C2/C10
BBY6605WE6327 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Infineon Technologies SC-70, SOT-323 12V 1 Pair Common Cathode Surface Mount SOT-323 -55°C ~ 150°C (TJ) 13.5pF @ 4.5V, 1MHz 5.41 C1/C4.5
BB565E7902 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Infineon Technologies SC-80 30V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.2pF @ 28V, 1MHz 11 C1/C28
BB 689-02V E7902 DIODE VAR CAP 30V 20MA SC-79 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.9pF @ 28V, 1MHz 23.2 C1/C28
GC1509-79 SI TVAR HERMETIC PILL Microchip Technology 2-SMD, No Lead 30V 2600 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount -55°C ~ 125°C 4.7pF @ 4V, 1MHz 3.9 C0/C30
KV1923A-150C SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT Microchip Technology Die 12V 600 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount Chip -55°C ~ 125°C 3.2pF @ 8V, 1MHz
BB181,135 DIODE VHF VAR CAP 30V SOD523 NXP USA Inc. SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount SOD-523 -55°C ~ 150°C (TJ) 1.055pF @ 28V, 1MHz 16 C0.5/C28
BB153,115 DIODE VHF VAR CAP 32V SOD324 NXP USA Inc. SC-76, SOD-323 32V Single Surface Mount SOD-323 -55°C ~ 125°C (TJ) 2.754pF @ 28V, 1MHz 15 C1/C28
MV209G DIODE TUNING EPICAP 30V TO92-2 onsemi TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 30V 200 @ 3V, 50MHz Single Through Hole TO-92 125°C (TJ) 32pF @ 3V, 1MHz 6.5 C3/C25
MMBV2107LT1 DIODE TUNING SS 30V SOT-23 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 350 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 150°C (TJ) 24.2pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30
HVC383BTRF-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
MMVL2101T1G VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-76, SOD-323 30V 450 @ 4V, 50MHz Single Surface Mount SOD-323 150°C (TJ) 7.5pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30
BBY55-02WH6327 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
SMV1800-079LF DIODE VARACTOR 30V 20MA SC79 Skyworks Solutions Inc. SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount SC-79 -55°C ~ 125°C (TJ) 1.05pF @ 28V, 1MHz 16 C0.5/C28
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.


Справочная информация по основным параметрам:

Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.