• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1381
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Добротность @ Vr, F
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Рабочая температура
Емкость @ Vr, F
Коэфициент емкости
Параметры коэфициента емкости
Серия
ZC831BTC DIODE VARIABLE CAP SOT23-3 Diodes Incorporated TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 25V 300 @ 3V, 50MHz Single Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 150°C (TJ) 15.75pF @ 2V, 1MHz 6 C2/C20
ZC934TA DIODE VAR CAP 95PF 1A SOT23-3 Diodes Incorporated
BBY 53-03LRH E6327 DIODE TUNING 6V 20MA TSLP-3 Infineon Technologies SC-101, SOT-883 6V Single Surface Mount PG-TSLP-3-1 -55°C ~ 125°C (TJ) 3.1pF @ 3V, 1MHz 2.6 C1/C3
BB639CE7904HTSA1 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323 Infineon Technologies SC-76, SOD-323 30V Single Surface Mount PG-SOD323-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.75pF @ 28V, 1MHz 15.3 C1/C28
BB857H7902XTSA1 DIODE TUNING 30V 20MA SCD80 Infineon Technologies SC-80 30V Single Surface Mount SCD-80 -55°C ~ 150°C (TJ) 0.52pF @ 28V, 1MHz 12.7 C1/C28
BB68902VH7902XTSA1 DIODE TUNING 30V 20MA SC79 Infineon Technologies SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount PG-SC79-2 -55°C ~ 150°C (TJ) 2.9pF @ 28V, 1MHz 23.2 C1/C28
BB66402VE7902 VARIABLE CAPACITANCE DIODE Infineon Technologies
KV2111-02 SI TVAR NON HERMETIC CHIP W LEAD Microchip Technology 22V 1200 @ 4V, 50MHz Single -55°C ~ 150°C 0.25pF @ 20V, 1MHz 4 C4/C20
KV1501-154-0 SI TVAR NON HERMETIC EPSM SMT Microchip Technology Die 12V 130 @ 2V, 10MHz Single Surface Mount Chip -65°C ~ 200°C 10.6pF @ 10V, 1MHz 17.5 C2/C10
MPV21001-206/TR SI TVAR NON HERMETIC MMSM Microchip Technology
BB179,315 DIODE UHF VAR CAP 30V SOD523 NXP USA Inc. SC-79, SOD-523 30V Single Surface Mount SOD-523 -55°C ~ 125°C (TJ) 2.225pF @ 28V, 1MHz 10.9 C1/C28
MMVL535T1 VARIABLE CAPACITANCE DIODE onsemi
HVD399CKRF-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Renesas Electronics America Inc
MMVL409T1G VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC SC-76, SOD-323 20V 200 @ 3V, 50MHz Single Surface Mount SOD-323 150°C (TJ) 32pF @ 3V, 1MHz 1.9 C3/C8
HVM16-03TL-E VARIABLE CAPACITANCE DIODE Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Ваpикапами называют полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости перехода от величины обратного напряжения. Наибольшая емкость будет соответствовать минимальному напряжению и следовательно наиболее узкому слою запирания диода. Электрически управляемая емкость варикапов применяется в схемах генераторов, управляемых напряжением, РЧ-фильтрах, частотных и фазовых модуляторах. Варикапы, применяемые в схемах умножения частоты сигнала называют варакторами.


Справочная информация по основным параметрам:

Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.