- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 2.7
- Параметры коэфициента емкости: C2/C31
- Добротность @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 2.9
- Параметры коэфициента емкости: C2/C32
- Добротность @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 3
- Параметры коэфициента емкости: C2/C30
- Добротность @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 13.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 2.9
- Параметры коэфициента емкости: C2/C33
- Добротность @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100