-
- Емкость @ Vr, F
- Коэфициент емкости
- Параметры коэфициента емкости
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 6V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 10.6pF @ 10V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Коэфициент емкости: 17.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C10
- Добротность @ Vr, F: 130 @ 2V, 10MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.6pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 6.1
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.45pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 8V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 12V
- Добротность @ Vr, F: 1800 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 4
- Параметры коэфициента емкости: C4/C20
- Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 3.5
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 3600 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.45pF @ 20V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Добротность @ Vr, F: 1200 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 3.7pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 11.5
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 2000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 9.9
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.4pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 4.2
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 5000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 22V
- Коэфициент емкости: 8.3
- Параметры коэфициента емкости: C2/C20
- Добротность @ Vr, F: 3000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: Single
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 4V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 30V
- Коэфициент емкости: 2.8
- Параметры коэфициента емкости: C0/C30
- Добротность @ Vr, F: 8000 @ 4V, 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100