Найдено: 2513
  • SI PIN NON HERMETIC PLASTIC SMT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 200V 11.5W
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 2-SMD
    • Тип диода: PIN - Single
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 11.5W
    • Обратное пиковое напряжение: 200V
    • Сопротивление @ If, F: 500mOhm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT23-3
    Broadcom Limited
    • Производитель: Broadcom Limited
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: Schottky - 1 Pair Series Connection
    • Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
    • Ток, макс.: 1A
    • Обратное пиковое напряжение: 70V
    • Сопротивление @ If, F: 35Ohm @ 5mA, 1MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 30V 715MW SOD523
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-79, SOD-523
    • Тип корпуса: SOD-523
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.375pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 100mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 715mW
    • Обратное пиковое напряжение: 30V
    • Сопротивление @ If, F: 350mOhm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE,PIN-CHIP, C50
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: C50
    • Тип корпуса: C50
    • Тип диода: PIN - Single
    • Ток, макс.: 150mA
    • Обратное пиковое напряжение: 200V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Package / Case: Axial
    • Тип корпуса: Axial
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 50V SOT23-3
    Broadcom Limited
    • Производитель: Broadcom Limited
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.8pF @ 20V, 1MHz
    • Ток, макс.: 1A
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE,SRD-CHIP-PACKAGE, 0805-2X
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Серия: MMDx
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Package / Case: 0805 (2012 Metric)
    • Тип корпуса: 0805-2
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 3.56pF @ 6V, 1MHz
    • Ток, макс.: 150mA
    • Обратное пиковое напряжение: 60V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS GUNN EPI UP HERMETIC PILL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Package / Case: Stud
    • Тип диода: PIN - Single
    • Ток, макс.: 140mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 10 mW
    • Обратное пиковое напряжение: 8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI SCHOTTKY NON HERMETIC PLASTIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-QFN (1.6x1.6)
    • Тип диода: Schottky - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 3V
    • Сопротивление @ If, F: 15Ohm @ 10mA, 1MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE,PIN,SURMOUNT
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Серия: MADP000402 Surmount™
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.06pF @ 40V, 1MHz
    • Ток, макс.: 250mA
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1W
    • Обратное пиковое напряжение: 100V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI PPIN HERMETIC MELF
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 1pF @ 100V, 1MHz
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 10W
    • Обратное пиковое напряжение: 200V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3
    Broadcom Limited
    • Производитель: Broadcom Limited
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: Schottky - 1 Pair Series Connection
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 1V, 1MHz
    • Обратное пиковое напряжение: 2V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAAS PIN HERMETIC PILL
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Тип диода: PIN - Single
    • Емкость @ Vr, F: 0.18pF @ 10V, 1MHz
    • Ток, макс.: 50mA
    • Обратное пиковое напряжение: 50V
    • Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 20mA, 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF DIODE PIN 200V 250MW SOT23-3
    Broadcom Limited
    • Производитель: Broadcom Limited
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
    • Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 50V, 1MHz
    • Ток, макс.: 1A
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
    • Обратное пиковое напряжение: 200V
    • Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.