- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HSMP-3893-TR2G | RF DIODE PIN 100V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 100V | PIN - 1 Pair Common Anode | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 1A | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz | ||
HSMS-270C-TR1G | DIODE SCHOTTKY 15V 825MW SOT323 | Broadcom Limited | SC-70, SOT-323 | 15V | Schottky - 1 Pair Series Connection | SOT-323 | 150°C (TJ) | 750mA | 6.7pF @ 0V, 1MHz | 825mW | 650mOhm @ 100mA, 1MHz | |
QSMS-294C-BLKG | DIODE SCHOTTKY RF | Broadcom Limited | ||||||||||
HSMS-2852-TR1G | RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2V | Schottky - 1 Pair Series Connection | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 0.3pF @ 1V, 1MHz | ||||
MA4P7433-1141T | RF DIODE PIN 75V 200MW SOD323 | MACOM Technology Solutions | SC-76, SOD-323 | 75V | PIN - Single | SOD-323 | 175°C (TJ) | 150mA | 0.35pF @ 20V, 1MHz | 200mW | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz | SMPP |
MA47418-134 | DIODE,PIN,CHIP,OXIDE | MACOM Technology Solutions | Die | 200V | PIN - Single | Chip | 175°C (TJ) | 0.15pF @ 100V, 1MHz | 6W | 3Ohm @ 10mA, 100MHz | ||
UM7512DR | SI PPIN HERMETIC STUD | Microchip Technology | Stud | 1200V | PIN - Single | -65°C ~ 175°C | 1pF @ 100V, 1MHz | 10W | 1Ohm @ 50mA, 100MHz | UM7500 | ||
UMX9989-GM2 | SI PIN NON HERMETIC PLASTIC SMT | Microchip Technology | ||||||||||
BAP64-05W,115 | RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323 | NXP USA Inc. | SC-70, SOT-323 | 100V | PIN - 1 Pair Common Cathode | SC-70 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 100mA | 0.35pF @ 20V, 1MHz | 240mW | 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz | |
1SV264-TL-E | RF DIODE PIN 50V 100MW 3MCP | onsemi | SC-70, SOT-323 | 50V | PIN - 1 Pair Series Connection | 3-MCP | 125°C (TJ) | 50mA | 0.4pF @ 50V, 1MHz | 100mW | 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz | |
1SS351-TB-E | RF DIODE SCHOTTKY 5V 3CP | onsemi | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 5V | Schottky - 1 Pair Series Connection | 3-CP | 125°C (TJ) | 30mA | 0.9pF @ 0.2V, 1MHz | |||
RN142S9HLTE61 | RF DIODE PIN SMD | Rohm Semiconductor | ||||||||||
CLA4607-108 | RF DIODE PIN 120V 250MW | Skyworks Solutions Inc. | SMD 1.83mm x 1.43mm | 120V | PIN - Single | -55°C ~ 150°C (TA) | 150mA | 0.27pF @ 0V, 1MHz | 250mW | 2.5Ohm @ 10mA, 100MHz | ||
1SS315[U/D] | RF DIODE SCHOTTKY 5V USC | Toshiba Semiconductor and Storage | SC-76, SOD-323 | 5V | Schottky - Single | USC | 125°C (TJ) | 30mA | 0.06pF @ 200mV, 1MHz | |||
BA782S-E3-08 | RF DIODE PIN 35V SOD323 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SC-76, SOD-323 | 35V | PIN - Single | SOD-323 | 125°C (TJ) | 100mA | 1.25pF @ 3V, 1MHz | 700mOhm @ 3mA, 1GHz |
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.