Найдено: 2513
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Серия
HSMP-3893-TR2G RF DIODE PIN 100V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100V PIN - 1 Pair Common Anode SOT-23-3 150°C (TJ) 1A 0.3pF @ 5V, 1MHz 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
HSMS-270C-TR1G DIODE SCHOTTKY 15V 825MW SOT323 Broadcom Limited SC-70, SOT-323 15V Schottky - 1 Pair Series Connection SOT-323 150°C (TJ) 750mA 6.7pF @ 0V, 1MHz 825mW 650mOhm @ 100mA, 1MHz
QSMS-294C-BLKG DIODE SCHOTTKY RF Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1G RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2V Schottky - 1 Pair Series Connection SOT-23-3 150°C (TJ) 0.3pF @ 1V, 1MHz
MA4P7433-1141T RF DIODE PIN 75V 200MW SOD323 MACOM Technology Solutions SC-76, SOD-323 75V PIN - Single SOD-323 175°C (TJ) 150mA 0.35pF @ 20V, 1MHz 200mW 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz SMPP
MA47418-134 DIODE,PIN,CHIP,OXIDE MACOM Technology Solutions Die 200V PIN - Single Chip 175°C (TJ) 0.15pF @ 100V, 1MHz 6W 3Ohm @ 10mA, 100MHz
UM7512DR SI PPIN HERMETIC STUD Microchip Technology Stud 1200V PIN - Single -65°C ~ 175°C 1pF @ 100V, 1MHz 10W 1Ohm @ 50mA, 100MHz UM7500
UMX9989-GM2 SI PIN NON HERMETIC PLASTIC SMT Microchip Technology
BAP64-05W,115 RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323 NXP USA Inc. SC-70, SOT-323 100V PIN - 1 Pair Common Cathode SC-70 -65°C ~ 150°C (TJ) 100mA 0.35pF @ 20V, 1MHz 240mW 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
1SV264-TL-E RF DIODE PIN 50V 100MW 3MCP onsemi SC-70, SOT-323 50V PIN - 1 Pair Series Connection 3-MCP 125°C (TJ) 50mA 0.4pF @ 50V, 1MHz 100mW 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
1SS351-TB-E RF DIODE SCHOTTKY 5V 3CP onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 5V Schottky - 1 Pair Series Connection 3-CP 125°C (TJ) 30mA 0.9pF @ 0.2V, 1MHz
RN142S9HLTE61 RF DIODE PIN SMD Rohm Semiconductor
CLA4607-108 RF DIODE PIN 120V 250MW Skyworks Solutions Inc. SMD 1.83mm x 1.43mm 120V PIN - Single -55°C ~ 150°C (TA) 150mA 0.27pF @ 0V, 1MHz 250mW 2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
1SS315[U/D] RF DIODE SCHOTTKY 5V USC Toshiba Semiconductor and Storage SC-76, SOD-323 5V Schottky - Single USC 125°C (TJ) 30mA 0.06pF @ 200mV, 1MHz
BA782S-E3-08 RF DIODE PIN 35V SOD323 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SC-76, SOD-323 35V PIN - Single SOD-323 125°C (TJ) 100mA 1.25pF @ 3V, 1MHz 700mOhm @ 3mA, 1GHz

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.