- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HSMS-282C-BLKG | RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT323 | Broadcom Limited | SC-70, SOT-323 | 15V | Schottky - 1 Pair Series Connection | SOT-323 | 150°C (TJ) | 1A | 1pF @ 0V, 1MHz | 12Ohm @ 5mA, 1MHz | ||
HSMS-282M-TR2G | RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT363 | Broadcom Limited | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 15V | Schottky - 2 Pair Common Cathode | SOT-363 | 150°C (TJ) | 1A | 1pF @ 0V, 1MHz | 12Ohm @ 5mA, 1MHz | ||
HSMS-280M-BLKG | RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363 | Broadcom Limited | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 70V | Schottky - 2 Pair Common Cathode | SOT-363 | 150°C (TJ) | 1A | 2pF @ 0V, 1MHz | 35Ohm @ 5mA, 1MHz | ||
HSCH-5312 | DIODE SCHOTTKY 500V BEAM LEAD | Broadcom Limited | ||||||||||
BAR81WE6327BTSA1 | DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4 | Infineon Technologies | SC-82A, SOT-343 | 30V | Standard - Single | PG-SOT343-3D | 150°C (TJ) | 100mA | 0.9pF @ 3V, 1MHz | 100mW | 1Ohm @ 5mA, 100MHz | |
MADP-010633-13920T | DIODE,PIN,1392,CCM218 | MACOM Technology Solutions | 0805 (2012 Metric) | 500V | PIN - Single | 0805 | 175°C (TJ) | 0.4pF @ 50V, 1MHz | 100 W | 600mOhm @ 100mA, 100MHz | ||
MA4SPS421 | DIODE,SILICON-GLASS,PIN,CHIP | MACOM Technology Solutions | Die | 200V | PIN - Single | Die | -55°C ~ 125°C (TJ) | 250mA | 0.175pF @ 0V, 1MHz | 1.8W | 6.2Ohm @ 10mA, 1GHz | MA4SPS421 Surmount™ |
MA4L022-134 | RF DIODE PIN 35V CHIP | MACOM Technology Solutions | Die | 35V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 125°C (TJ) | 100mA | 0.19pF @ 0V, 1MHz | 2Ohm @ 10mA, 500MHz | ||
MSS20-047-H27 | SCHOTTKY DIODE,BEAMLEAD, H27 | MACOM Technology Solutions | H27 | 1V | Schottky - Single | H27 | -65°C ~ 150°C | 35mA | 0.22pF @ 0V, 1MHz | 100mW | ||
UM7010CR | SI PPIN HERMETIC STUD | Microchip Technology | Stud | 1000V | PIN - Single | -65°C ~ 175°C | 0.9pF @ 100V, 1MHz | 10W | 1Ohm @ 100mA, 100MHz | |||
UM7104DR | SI PPIN HERMETIC STUD | Microchip Technology | Stud | 400V | PIN - Single | -65°C ~ 175°C | 1.2pF @ 100V, 1MHz | 7.5W | 600mOhm @ 100mA, 100MHz | |||
MG49123-42 | GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD | Microchip Technology | Stud | |||||||||
UM7501F | SI PPIN HERMETIC MELF | Microchip Technology | 100V | PIN - Single | -65°C ~ 175°C | 1pF @ 100V, 1MHz | 10W | 1Ohm @ 50mA, 100MHz | ||||
SMS3923-005LF | RF DIODE SCHOTTKY 20V 75MW SOT23 | Skyworks Solutions Inc. | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 20V | Schottky - 1 Pair Series Connection | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 50mA | 75mW | |||
BA782-E3-18 | RF DIODE PIN 35V SOD123 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SOD-123 | 35V | PIN - Single | SOD-123 | 125°C (TJ) | 100mA | 1.25pF @ 3V, 1MHz | 700mOhm @ 3mA, 1GHz |
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.