RF | Диоды | Полупроводники

Выводить по:

Найдено: 2513

SMP1320-075LF

RF DIODE PIN 50V 250MW SC70-3

Skyworks Solutions Inc.
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TA)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70-3
- Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 30V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 900mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BA783-G3-08

RF DIODE PIN 35V SOD123

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOD-123
- Тип корпуса: SOD-123
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HMPP-3890-TR1

RF DIODE PIN 100V MINIPAK

Broadcom Limited
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 0505 (1412 Metric)
- Тип корпуса: MiniPak 1412
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BAR63-03WE6433

PIN DIODE, 50V V(BR)

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: PG-SOD323-2
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HSMS-282Y-TR1G

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOD523

Broadcom Limited
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: SOD-523
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Сопротивление @ If, F: 12Ohm @ 5mA, 1MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MML4403-GM3

SI LIMITER NON HERMETIC PLASTIC

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: MML4400
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 75V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BAP64Q,125

RF DIODE PIN 100V 125MW 5TSOP

NXP USA Inc.
- Производитель: NXP USA Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-74A, SOT-753
- Тип корпуса: 5-TSOP
- Тип диода: PIN - 2 Pair CA + CC
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 125mW
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BAP63-03,115

BAP63-03 - PIN DIODE, 50V V(BR)

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-76, SOD-323
- Тип корпуса: SOD-323
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.32pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 500mW
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BAR63-05WH6327

PIN DIODE, 50V V(BR)

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323-3
- Тип диода: PIN - 1 Pair Common Cathode
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 50V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HSMP-3812-TR1

RF DIODE PIN 100V SOT23-3

Broadcom Limited
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: PIN - 1 Pair Series Connection
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 3Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
BA595E6359HTMA1

RF DIODE PIN 50V SC79-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-79, SOD-523
- Тип корпуса: PG-SC79-2-1
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 7Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HSMS-280K-BLKG

RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT363

Broadcom Limited
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Тип диода: Schottky - 1 Pair Isolated
- Емкость @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 70V
- Сопротивление @ If, F: 35Ohm @ 5mA, 1MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
UM4306SM

SI PPIN HERMETIC MELF

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Package / Case: SQ-MELF
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 2.2pF @ 100V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 15W
- Обратное пиковое напряжение: 600V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
UPP1004/TR13

RF DIODE PIN 100V 2.5W DO216

Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWERMITE®
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: DO-216AA
- Тип корпуса: DO-216
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.6pF @ 100V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
UM9415SM

SI PPIN HERMETIC MELF

Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: SQ-MELF
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 100MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 10W
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по:

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.

Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.

Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.

Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.

Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте

Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.

Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.

	Значение	Кол‑во
	0201 (0603 Metric) ⇒	7
	0402 ⇒	43
	0503 ⇒	4
	0603C/SOD-523F ⇒	1
	0603/SOD-523F ⇒	1
	0805 ⇒	30
	0805-2 ⇒	6
	0805P ⇒	3
	1005 (2512) ⇒	2
	1005/SOD-323F ⇒	1
	1072 MELF ⇒	1
	12-PQFN (3x3) ⇒	2
	16-HQFN (3x3) ⇒	1
	2012 ⇒	8
	2012/DFN (1.96x1.19) ⇒	3
	2615 ⇒	2
	2-FlipChip ⇒	2
	2-MLP (2.3x2.3) ⇒	1
	2-MLP (2.5x2.5) ⇒	1
	2-QFN (2x2) ⇒	8
	2-SMD ⇒	7
	2-X2DFNW (1x0.6) ⇒	2
	2-X3DFN (0.6x0.3) (0201) ⇒	1
	3-CP ⇒	7
	3-MCP ⇒	7
	3-QFN (2x2) ⇒	13
	4-MIS (1.18x1.43) ⇒	2
	504-012 ⇒	1
	5-CPH ⇒	2
	5-TSOP ⇒	2
	6-DFN (1.6x1.2) ⇒	1
	6-QFN (1.6x1.6) ⇒	2
	6-TDFN (1.5x1.2) ⇒	6
	6-TSSOP ⇒	2
	8-HMD (1.6x0.8) ⇒	1
	8-HQFN (4x4) ⇒	1
	8-QFN (2x2) ⇒	3
	Axial ⇒	94
	B10B ⇒	9
	B10D ⇒	6

Справочная информация по основным параметрам:

Тип корпуса (40)