Найдено: 2513
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Серия
HSMS-285B-TR1G RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT323 Broadcom Limited SC-70, SOT-323 2V Schottky - Single SOT-323 150°C (TJ) 0.3pF @ 1V, 1MHz
HSMS-2862-BLKG RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 4V Schottky - 1 Pair Series Connection SOT-23-3 150°C (TJ) 0.3pF @ 0V, 1MHz
QSMS-2890-TR2G DIODE SCHOTTKY RF Broadcom Limited
L8107R RF PIN DIODE 90V 1W CERAMIC MELF CEL SQ-MELF 90V PIN - Single MELF 175°C (TJ) 50mA 0.6pF @ 40V, 100MHz 1W 1.5Ohm @ 50mA, 100MHz
ZMS2800TA DIODE SCHOTTKY 70V 250MW SOD323 Diodes Incorporated SC-76, SOD-323 70V Schottky - Single SOD-323 -55°C ~ 150°C (TJ) 15mA 2pF @ 0V, 1MHz 250mW
MA4P604-131 RF DIODE PIN 1000V DIE MACOM Technology Solutions Die 1000V PIN - Single Die 175°C (TJ) 0.3pF @ 100V, 1MHz 1Ohm @ 100mA, 100MHz
MA4P7455ST-287T DIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE MACOM Technology Solutions TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100V PIN - 1 Pair Series Connection SOT-23 175°C (TJ) 150mA 0.35pF @ 50V, 1MHz 250mW 3Ohm @ 10mA, 100MHz
MSS50-B53-E45 SCHOTTKY DIODE,BEAMLEAD, E45-1 MACOM Technology Solutions E45 3V Schottky - 1 Bridge E45 -65°C ~ 150°C 50mA 0.33pF @ 0V, 1MHz 100mW MSS50-xxx-x
MA47266-146 DIODE,PIN,GLASS,AXIAL,HI_VOLUME MACOM Technology Solutions Axial 200V PIN - Single Axial -55°C ~ 175°C 1.5pF @ 50V, 1MHz 500mW 600mOhm @ 50mA, 100MHz
GC4371-00 SI NIP NON HERMETIC CHIP Microchip Technology Die 70V PIN - Single Chip -55°C ~ 150°C 0.1pF @ 10V, 1MHz 900mOhm @ 20mA, 1GHz
GC4490-02 SI PIN NON HERMETIC CHIP W LEAD Microchip Technology 750V PIN - Single -55°C ~ 150°C 50mA 0.1pF @ 50V, 1MHz 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
MPP4202-206 SI LIMITER NON HERMETIC MMSM Microchip Technology 0402 (1005 Metric) 50V PIN - Single 0402 -55°C ~ 150°C 0.15pF @ 10V, 1MHz 2.8Ohm @ 20mA, 100MHz
GC9902-S12 SI SCHOTTKY NON HERMETIC BEAM LE Microchip Technology 2-SMD, Flat Lead 2V PIN - Single -55°C ~ 150°C 0.15pF @ 0V, 1MHz 16Ohm @ 5mA, 1MHz
CLA4607-000 DIODE LIMITER SILICON 120-180V Skyworks Solutions Inc. Die 180V PIN - Single Die -65°C ~ 175°C (TJ) 200mA 470 mW 2Ohm @ 10mA, 1MHz CLA
BA683-GS08 RF DIODE PIN 35V SOD80 MINIMELF Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 35V PIN - Single SOD-80 MiniMELF 150°C (TJ) 100mA 1.2pF @ 3V, 100MHz 900mOhm @ 10mA, 200MHz

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.