- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HSMS-285B-TR1G | RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT323 | Broadcom Limited | SC-70, SOT-323 | 2V | Schottky - Single | SOT-323 | 150°C (TJ) | 0.3pF @ 1V, 1MHz | ||||
HSMS-2862-BLKG | RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3 | Broadcom Limited | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 4V | Schottky - 1 Pair Series Connection | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 0.3pF @ 0V, 1MHz | ||||
QSMS-2890-TR2G | DIODE SCHOTTKY RF | Broadcom Limited | ||||||||||
L8107R | RF PIN DIODE 90V 1W CERAMIC MELF | CEL | SQ-MELF | 90V | PIN - Single | MELF | 175°C (TJ) | 50mA | 0.6pF @ 40V, 100MHz | 1W | 1.5Ohm @ 50mA, 100MHz | |
ZMS2800TA | DIODE SCHOTTKY 70V 250MW SOD323 | Diodes Incorporated | SC-76, SOD-323 | 70V | Schottky - Single | SOD-323 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 15mA | 2pF @ 0V, 1MHz | 250mW | ||
MA4P604-131 | RF DIODE PIN 1000V DIE | MACOM Technology Solutions | Die | 1000V | PIN - Single | Die | 175°C (TJ) | 0.3pF @ 100V, 1MHz | 1Ohm @ 100mA, 100MHz | |||
MA4P7455ST-287T | DIODE,PIN,PLASTIC,LEADFREE | MACOM Technology Solutions | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 100V | PIN - 1 Pair Series Connection | SOT-23 | 175°C (TJ) | 150mA | 0.35pF @ 50V, 1MHz | 250mW | 3Ohm @ 10mA, 100MHz | |
MSS50-B53-E45 | SCHOTTKY DIODE,BEAMLEAD, E45-1 | MACOM Technology Solutions | E45 | 3V | Schottky - 1 Bridge | E45 | -65°C ~ 150°C | 50mA | 0.33pF @ 0V, 1MHz | 100mW | MSS50-xxx-x | |
MA47266-146 | DIODE,PIN,GLASS,AXIAL,HI_VOLUME | MACOM Technology Solutions | Axial | 200V | PIN - Single | Axial | -55°C ~ 175°C | 1.5pF @ 50V, 1MHz | 500mW | 600mOhm @ 50mA, 100MHz | ||
GC4371-00 | SI NIP NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 70V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.1pF @ 10V, 1MHz | 900mOhm @ 20mA, 1GHz | |||
GC4490-02 | SI PIN NON HERMETIC CHIP W LEAD | Microchip Technology | 750V | PIN - Single | -55°C ~ 150°C | 50mA | 0.1pF @ 50V, 1MHz | 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz | ||||
MPP4202-206 | SI LIMITER NON HERMETIC MMSM | Microchip Technology | 0402 (1005 Metric) | 50V | PIN - Single | 0402 | -55°C ~ 150°C | 0.15pF @ 10V, 1MHz | 2.8Ohm @ 20mA, 100MHz | |||
GC9902-S12 | SI SCHOTTKY NON HERMETIC BEAM LE | Microchip Technology | 2-SMD, Flat Lead | 2V | PIN - Single | -55°C ~ 150°C | 0.15pF @ 0V, 1MHz | 16Ohm @ 5mA, 1MHz | ||||
CLA4607-000 | DIODE LIMITER SILICON 120-180V | Skyworks Solutions Inc. | Die | 180V | PIN - Single | Die | -65°C ~ 175°C (TJ) | 200mA | 470 mW | 2Ohm @ 10mA, 1MHz | CLA | |
BA683-GS08 | RF DIODE PIN 35V SOD80 MINIMELF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 35V | PIN - Single | SOD-80 MiniMELF | 150°C (TJ) | 100mA | 1.2pF @ 3V, 100MHz | 900mOhm @ 10mA, 200MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.