- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HSCH-5512 | DIODE SCHOTTKY PAIR 500V BEAM LD | Broadcom Limited | ||||||||||
HSMS-2855-TR1G | RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT143-4 | Broadcom Limited | TO-253-4, TO-253AA | 2V | Schottky - 2 Independent | SOT-143-4 | 150°C (TJ) | 0.3pF @ 1V, 1MHz | ||||
HSMP-489B-BLKG | RF DIODE PIN 100V SOT323 | Broadcom Limited | SC-70, SOT-323 | 100V | PIN - Single | SOT-323 | 150°C (TJ) | 1A | 0.375pF @ 5V, 1MHz | 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz | ||
HSMP-389C-BLKG | RF DIODE PIN 100V SOT323 | Broadcom Limited | SC-70, SOT-323 | 100V | PIN - 1 Pair Series Connection | SOT-323 | 150°C (TJ) | 1A | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz | ||
BAT6804WH6327XTSA1 | DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT323-3 | Infineon Technologies | SC-70, SOT-323 | 8V | Schottky - 1 Pair Series Connection | PG-SOT323 | 150°C (TJ) | 130mA | 1pF @ 0V, 1MHz | 150mW | 10Ohm @ 5mA, 10kHz | |
BAT1706WE6327 | RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE | Infineon Technologies | SC-70, SOT-323 | 4V | Schottky - 1 Pair Common Anode | SOT-323 | 150°C (TJ) | 130mA | 0.75pF @ 0V, 1MHz | 150mW | 15Ohm @ 5mA, 10kHz | |
GC4702-00 | SI LIMITER NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 20V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.3pF @ 6V, 1MHz | 3W | 1.2Ohm @ 10mA, 100MHz | ||
GC4701-00 | SI LIMITER NON HERMETIC CHIP | Microchip Technology | Die | 20V | PIN - Single | Chip | -55°C ~ 150°C | 0.15pF @ 6V, 1MHz | 2W | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz | ||
LAN9360N20B-CBVAO | AVB ENDPOINT, 7 STREAMS, 40 CH., | Microchip Technology | ||||||||||
BAT17,215 | NEXPERIA BAT17 - MIXER DIODE | NXP Semiconductors | ||||||||||
BAR 67-04 E6327 | PIN DIODE, 150V V(BR) | Rochester Electronics, LLC | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 150V | PIN - 1 Pair Series Connection | SOT-23-3 | 150°C (TJ) | 200mA | 0.55pF @ 5V, 1MHz | 250mW | 1Ohm @ 10mA, 100MHz | |
MMBV3401LT1G | PIN DIODE, 35V V(BR), TO-236AB | Rochester Electronics, LLC | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 35V | PIN - Single | SOT-23-3 (TO-236) | 125°C (TJ) | 1pF @ 20V, 1MHz | 200mW | 700mOhm @ 10mA, 100MHz | ||
APD0505-000 | RF DIODE PIN 50V DIE | Skyworks Solutions Inc. | Die | 50V | PIN - Single | Die | -65°C ~ 175°C (TJ) | 200mA | 0.05pF @ 50V, 1MHz | 2.5Ohm @ 10mA, 500MHz | ||
SMP1304-087LF | RF DIODE PIN 200V 1W 2QFN | Skyworks Solutions Inc. | 2-VSFN Exposed Pad | 200V | PIN - Single | 2-QFN (2x2) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 200mA | 0.3pF @ 30V, 1MHz | 1W | 2Ohm @ 100mA, 100MHz | |
BA283-TR | RF DIODE STANDARD 35V DO35 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-204AH, DO-35, Axial | 35V | Standard - Single | DO-35 (DO-204AH) | 125°C (TJ) | 100mA | 1.2pF @ 3V, 100MHz | 900mOhm @ 10mA, 200MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.