- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
- Тип корпуса
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 6V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Сопротивление @ If, F: 2Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, No Lead
- Тип корпуса: CS300
- Тип диода: PIN - Single
- Рассеиваемая мощность (Макс): 200 W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Серия: SMPP
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип диода: PIN - 1 Pair Common Anode
- Емкость @ Vr, F: 1.2pF @ 20V, 1MHz
- Ток, макс.: 150mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.15pF @ 6V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 5W
- Обратное пиковое напряжение: 180V
- Сопротивление @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
- Тип корпуса: TO-92
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 280mW
- Обратное пиковое напряжение: 200V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 0505 (1412 Metric)
- Тип корпуса: MiniPak 1412
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.2pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 22Ohm @ 1mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 0201 (0603 Metric)
- Тип корпуса: PG-TSSLP-2-3
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 1V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 2V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Тип диода: Schottky - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.26pF @ 0V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 75mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
- Сопротивление @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Chip
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 0.1pF @ 10V, 1MHz
- Ток, макс.: 50mA
- Обратное пиковое напряжение: 75V
- Сопротивление @ If, F: 2Ohm @ 20mA, 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: 2-SMD
- Тип диода: PIN - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 100MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 10W
- Обратное пиковое напряжение: 50V
- Сопротивление @ If, F: 1Ohm @ 50mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-80
- Тип корпуса: SCD-80
- Тип диода: Standard - Single
- Емкость @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Обратное пиковое напряжение: 35V
- Сопротивление @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Тип диода: PIN - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 2.5Ohm @ 5mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100
Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.
В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.
Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.
PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.
Справочная информация по основным параметрам:
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) —
Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) —
Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) —
Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) —
Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) —
Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.