Найдено: 2513
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Тип диода
Тип корпуса
Рабочая температура
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Серия
HSMS-2802-TR2G RF DIODE SCHOTTKY 70V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 70V Schottky - 1 Pair Series Connection SOT-23-3 150°C (TJ) 1A 2pF @ 0V, 1MHz 35Ohm @ 5mA, 1MHz
HSMP-3832-TR1 RF DIODE PIN 200V 250MW SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200V PIN - 1 Pair Series Connection SOT-23-3 150°C (TJ) 1A 0.3pF @ 50V, 1MHz 250mW 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
HSMS-2852-TR1 RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2V Schottky - 1 Pair Series Connection SOT-23-3 150°C (TJ) 0.3pF @ 1V, 1MHz
HSMP-3820-TR2G RF DIODE PIN 50V SOT23-3 Broadcom Limited TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 50V PIN - Single SOT-23-3 150°C (TJ) 1A 0.8pF @ 20V, 1MHz 600mOhm @ 10mA, 100MHz
MADP-000402-12530P DIODE,PIN,SURMOUNT MACOM Technology Solutions Die 100V PIN - Single Die 175°C (TJ) 250mA 0.06pF @ 40V, 1MHz 1W MADP000402 Surmount™
MA4P7102F-1072T RF DIODE PIN 200V 11.5W MACOM Technology Solutions 2-SMD 200V PIN - Single -55°C ~ 175°C (TJ) 11.5W 500mOhm @ 100mA, 100MHz
MMD805-0805 DIODE,SRD-CHIP-PACKAGE, 0805-2X MACOM Technology Solutions 0805 (2012 Metric) 60V PIN - Single 0805-2 -65°C ~ 175°C 150mA 3.56pF @ 6V, 1MHz MMDx
MMPN080045 DIODE,PIN-CHIP, C50 MACOM Technology Solutions C50 200V PIN - Single C50 175°C (TJ) 150mA
MP61010-M42 GAAS PIN HERMETIC PILL Microchip Technology 50V PIN - Single -55°C ~ 175°C 50mA 0.18pF @ 10V, 1MHz 1Ohm @ 20mA, 1GHz
UMX4301B SI PPIN HERMETIC GLASS AXIAL Microchip Technology Axial Axial
MG1052-30 GAAS GUNN EPI UP HERMETIC PILL Microchip Technology Stud 8V PIN - Single 140mA 10 mW
GC9952-6LP SI SCHOTTKY NON HERMETIC PLASTIC Microchip Technology 6-UFDFN Exposed Pad 3V Schottky - Single 6-QFN (1.6x1.6) -55°C ~ 150°C 0.5pF @ 0V, 1MHz 15Ohm @ 10mA, 1MHz
UM7502F SI PPIN HERMETIC MELF Microchip Technology 200V PIN - Single -65°C ~ 175°C 1pF @ 100V, 1MHz 10W 1Ohm @ 50mA, 100MHz
GMP4233-GM1 SI PIN NON HERMETIC PLASTIC SMT Microchip Technology
BAP65-02,115 RF DIODE PIN 30V 715MW SOD523 NXP USA Inc. SC-79, SOD-523 30V PIN - Single SOD-523 -65°C ~ 150°C (TJ) 100mA 0.375pF @ 20V, 1MHz 715mW 350mOhm @ 100mA, 100MHz

Высокочастотные (радиочастотные) диоды предназначены для работы в устройствах радиоприема или радиопердачи, обладают низкой емкостью и малым временем восстановления. Главными представителями семейства являются точечные диоды и диоды Шоттки и PIN-диоды.

В точечных дидах pn переход образуется в зоне контакта металлической легированной иглы с поверхностью полопроводника заданной проводимости. При изготовлении диода через иглу пропускается импульса тока и происходит вплавление острия иглы в поверхность полупроводника. малая зоны контакта ограничивает силу тока, которую может выдержать точечный диод и это является обратной стороной технологии.

Диод Шоттки образуется в результате контакта металла с полупроводником, имеет малое напряжение перехода в прямом включении. Преимуществом диода является участие в проводимости только основных носителей заряда, что приводит к очень малому времени восстановления. Недостатком является высокое значение обратного тока.

PIN диоды имеют трехслойную структуру, в которой между высоколегированными p и n областями лежит i-слой собственной проводимости полупроводника. На высоких частотах, благодаря такой структуре, диод ведет себя как резистор, сопротивление которого зависит от постоянной составляющей тока, протекающего через него. Наличие i-области также сильно уменьшает емкость лиода при обратном включении по сравнению с обычным pn-переходом.


Справочная информация по основным параметрам:

Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.