- Тип корпуса
- Производитель
- Обратное пиковое напряжение
-
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BA 895 E6327 | RF DIODE PIN 50V SCD80 | Infineon Technologies | SC-80 | 50V | PIN - Single | SCD-80 | 150°C (TJ) | 50mA | 0.6pF @ 10V, 1MHz | 7Ohm @ 10mA, 100MHz | |
| BAR 63-02W H6433 | RF DIODE PIN 50V 250MW SCD80 | Infineon Technologies | SC-80 | 50V | PIN - Single | SCD-80 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 250mW | 1Ohm @ 10mA, 100MHz |
| BA892H6770XTSA1 | RF DIODE STANDARD 35V SCD80 | Infineon Technologies | SC-80 | 35V | Standard - Single | SCD-80 | 150°C (TJ) | 100mA | 1.1pF @ 3V, 1MHz | 500mOhm @ 10mA, 100MHz | |
| BAR6302WH6327 | PIN DIODE, 50V V(BR) | Infineon Technologies | SC-80 | 50V | PIN - Single | SCD-80 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 250mW | 1Ohm @ 10mA, 100MHz |
| BAT6202WH6327XTSA1 | DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SCD80 | Infineon Technologies | SC-80 | 40V | Schottky - Single | SCD-80 | 150°C (TJ) | 20mA | 0.6pF @ 0V, 1MHz | 100mW | |
| BAR6302WH6327XTSA1 | RF DIODE PIN 50V 250MW SCD80 | Infineon Technologies | SC-80 | 50V | PIN - Single | SCD-80 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 250mW | 1Ohm @ 10mA, 100MHz |
| BAT 62-02W E6327 | DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SCD80 | Infineon Technologies | SC-80 | 40V | Schottky - Single | SCD-80 | 150°C (TJ) | 20mA | 0.6pF @ 0V, 1MHz | 100mW | |
| BAR6302WH6327 | PIN DIODE, 50V V(BR) | Rochester Electronics, LLC | SC-80 | 50V | PIN - Single | SCD-80 | 150°C (TJ) | 100mA | 0.3pF @ 5V, 1MHz | 250mW | 1Ohm @ 10mA, 100MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100